*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该   仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美   国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体   材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。   测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控   制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后   以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围 - 电阻率：10^-4～10⁵ Ω·cm
　　　　   方块电阻：10^-3～10⁶ Ω/□(可扩展)

*.RTS-4所有的特性和规格跟RTS-8一样。不同处   RTS-8测量范围比RTS-4宽
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国   A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电　  阻(薄层电阻)测试专用仪器；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.使用直流四探针法测量和分析硅晶片、扩散层、   金属层的电阻率和薄膜电阻。
*.适用晶片尺寸：2"～8"；
*.测量范围 - 电阻率：1mΩ·cm～999.9kΩ·cm
　　　　   方块电阻：10mΩ/□～9999Ω/□

*.采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测   量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针   电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测   量，把采集到的数据在计算机中加以分析，自动   消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和   机械游移等因素对测量结果的影响，然后以表格   图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围 - 电阻率：10^-4～10⁵ Ω·cm
　　　　   方块电阻：10^-3～10⁶ Ω/□(可扩展)
*.可测晶片厚度：≤3.00mm

*.RTS-5所有的特性和规格跟RTS-9一样。不同处   RTS-9测量范围比RTS-5宽
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测   量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探   针电压探针的变换，进行两次电测量，能自动   消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距   和机械游移等因素对测量结果的影响；
*.适用晶片尺寸：2"～6"；
*.测量范围 - 电阻率：0.001～200Ω·cm(可扩展)
　　　　   方块电阻：0.01～2000Ω/□(可扩展)

*.使用直流四探针法测量和分析硅晶片、扩散层、   金属层的电阻率和薄膜电阻。提供可靠的测量通   过简单的操作。
*.适用晶片尺寸：2"～8"；
*.测量范围 - 电阻率：1mΩ·cm～999.9kΩ·cm
　　　　   方块电阻：10mΩ/□～999Ω/□