*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于   测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导   体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的   常规测试项目之一。仪器灵敏度高，配备有   红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在   内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命   骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等；
* 测试单晶电阻率范围：>2Ω.cm；
* 可测单晶少子寿命范围：5μS-7000μS；
*.配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；

*.用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。   本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法   的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放   大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品   台共五部份组成；
*.测试单晶电阻率范围：>10Ω.cm
*可测单晶少子寿命范围：20μS-5000μS；

*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于   测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命；
*.测试单晶电阻率范围： >0.3Ω.cm；
*.可测单晶少子寿命范围： 1μS-10000μS；
*.配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；
  余辉<1 μS；闪光频率为：20-30次／秒；
*.前置放大器：放大倍数约25；
*.测量方式：采用对标准曲线读数方式；

*.测试单晶电阻率范围： >0.03Ω.cm
*.可测单晶少子寿命范围： 10nS-10mS；