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品名
LT-2型单晶少子寿命测试仪
价格
特点/规格

*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。仪器灵敏度高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等;
* 测试单晶电阻率范围:>2Ω.cm;
* 可测单晶少子寿命范围:5μS-7000μS;
*.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm;

 
品名
DSY-II型单晶少子寿命测试仪
价格
特点/规格

*.用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。   本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法   的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放   大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品   台共五部份组成;
*.测试单晶电阻率范围:>10Ω.cm
*可测单晶少子寿命范围:20μS-5000μS;

 
品名
LT-3型单晶少子寿命测试仪
价格
特点/规格

*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于   测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命;
*.测试单晶电阻率范围: >0.3Ω.cm;
*.可测单晶少子寿命范围: 1μS-10000μS;
*.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm;
  余辉<1 μS;闪光频率为:20-30次/秒;
*.前置放大器:放大倍数约25;
*.测量方式:采用对标准曲线读数方式;

 
品名
WCT-100型硅单晶寿命测试仪
价格
特点/规格

*.测试单晶电阻率范围: >0.03Ω.cm
*.可测单晶少子寿命范围: 10nS-10mS;

— 以上仪器如实验室教学使用有需要可免费附送测试样品 —
 
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