*. 可对样品进行25点、49点、81点、中心1点、中心10点、中心半径5点、中心边缘5点、中心半径边缘9点、直径扫描等测试；
*. 屏蔽和吸附测试：对样品进行屏蔽和真空吸附测试，完全消除光和全自动测试过程中样品移动对样品测试的影响，保证测量的准确性；
*. 测试数据处理：以Excel格式文件表格记录测试数据，并生成2D、3D的 map图。用户可对采集的数据在Excel中进行进一步的各种数据统计分析；
*.测量范围：
电阻率:10^-5～2×10⁵Ω.cm
方块电阻:10^-4～2×10⁶Ω/□

*. 结合计算机对可程式恒温恒湿试验机的温度控制，实现单段式控温、二段式控温、三段式控温的自由切换和快捷选择。高低温运动机构在系统软件控制下令精密四探针头到达不同测量位置并精确控制探针的压力，有效的保护样品的表面；
*. 系统在测试程序的引导下可进行变温测试，每个温度点都输出样品的方块电阻或电阻率的测量值。不同温度点测量值变化通过2D、3D-Map、等值线图、点值分布图、直方图生动展示出来；
*.测量范围：
电阻率:10^-5～2×10⁵Ω.cm
方块电阻:10^-4～2×10⁶Ω/□

*. 可对样品进行单点、五点、九点、多点、直径扫描等模式的全自动测试；
*. 屏蔽测试，完全消除光线对样品测试的影响，保证测量的准确性；
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围：
电阻率：10^-5～2×10⁵Ω·cm(可扩展)
方块电阻：10^-4～2×10⁶Ω/□(可扩展)

*.采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，把采集到的数据在计算机中加以分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，然后以表格图形方式统计分析显示测试结果；
*.适用晶片尺寸：2"～12"(选配探针台)；
*.测量范围：
电阻率：10^-5～2×10⁵Ω·cm(可扩展)
方块电阻：10^-4～2×10⁶Ω/□(可扩展)

*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，把采集到的数据在计算机中加以分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，然后以表格图形方式统计分析显示测试结果；
*.测量范围：
电阻率:0.0001～2000Ω·cm(可扩展)
方块电阻:0.001～20000Ω/□(可扩展)

*.运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试金属材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果；
*.测量范围：
电阻率：10^-7～10^-2Ω·cm
方块电阻：10^-6～10^-1Ω/□

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器；
*.体积仅为：125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深)；
*.RTS-2测量范围：
电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.RTS-2A测量范围：
电阻率：0.001～199.99Ω.cm；
方块电阻：0.01～1999.9Ω/□；

*.根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的手持式仪器；
*.体积仅为：185mm(长)*90mm(宽)*30mm(高)；
*.测量范围：
电阻率：0.01～1999.9Ω.cm；  
方块电阻：0.1～19999Ω/□；
*.锂电池供电，一次充电可连续使用100小时；

*. 天然大理石平台保证台面精度稳定、不易变形。三轴运动机构在系统软件控制下令精密四探针头移动到测量位置并精确控制探针的压力，有效的保护样品的表面；
*. 系统在测试程序的引导下可进行自动阵列测试，每个测试点都输出方块电阻或电阻率的测量值。不同位置的测量值变化通过2D、3D-Map、等值线图、点值分布图、直方图生动展示出来；
*.测量范围：
电阻率:10^-5～2×10⁵Ω.cm
方块电阻:10^-4～2×10⁶Ω/□

*. 测试样品电阻率、方块电阻、电阻在不同温度时的数值，并绘出数值随温度变化的曲线；
*.测量范围：
电阻率：10^-5～2×10⁵Ω·cm(可扩展)
方块电阻：10^-4～2×10⁶Ω/□(可扩展)
*.温控范围：常温～100℃(可扩展)
*.温控精度：±1℃　　　  

*. 测试低阻金属材料电阻率、方块电阻、电阻在不同温度时的数值，并绘出数值随温度变化的曲线；
*.测量范围:
电阻率：10^-7～10^-2Ω·cm
方块电阻：10^-6～10^-1Ω/□
*.温控范围：常温～100℃(可扩展)
*.温控精度：±1℃　　　  

*.专门测量半导体薄层电阻（表面电阻率）的新型仪器。 可用于测量一般半导体材料、导电薄膜（ITO导电膜玻璃）、金属膜……等同类物质的薄层电阻（表面电阻率）。
* 轻便手持式设计操作、测试简便；
*.特制之手握式探笔，球形探针、镀金探针有效接触被测材料及保护薄膜；
*.以大屏幕LCD显示读数，直观清晰；
*测量范围：按方块电阻量值大小分为二个量程档
1.方块电阻 1.00～199.99Ω/□；
2.方块电阻 10.0～1999.9Ω/□；
*最小分辨率：0.01Ω/□，整机可显示的测量范围0.01Ω/□～1999.9Ω/□；

*测量范围：按方块电阻量值大小分为二个量程档
1.方块电阻 1.0～1999.9Ω/□；
2.方块电阻 10～19999Ω/□；
*最小分辨率：0.1Ω/□，整机可显示的测量范围0.1Ω/□～19999Ω/□；

*测量范围：按方块电阻量值大小分为二个量程档
1.方块电阻 1.000～19.999Ω/□；
2.方块电阻 10.0～199.99Ω/□；
*最小分辨率：0.001Ω/□，整机可显示的测量范围0.001Ω/□～199.99Ω/□；